事件總覽：從 2026 年到 2027 年，記憶體市場經歷了 DRAM 供給持續緊張，而 NAND Flash 供給逐漸寬鬆的顯著變化。
📅 2026 年 01 月：DRAM 供給開始緊張
TrendForce 的最新研究指出，2026 年記憶體需求主要由 AI 應用驅動，DRAM 供給因 HBM 持續排擠產能而呈現緊張局面。在此背景下，各大 DRAM 厂商已提前啟動產能擴充計劃，積極提高既有廠區產能，並加快製程升級，以支撐 2026 年整體位元供給擴張。
📅 2026 年 06 月：NAND Flash 產能逐步提升
2026 年上半年，NAND Flash 厂商主要通過製程升級來增加位元供給。由於 AI 伺服器和高容量企業級 SSD 需求旺盛，供應商不斷提高供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。這一策略在短期内有效維持了市場穩定。
📅 2027 年 01 月：DRAM 供需缺口擴大
2027 年初，DRAM 供需缺口進一步擴大。TrendForce 表示，2026 年 DRAM 供應與需求位元的差距（sufficiency ratio）落在 -1% 到 -2%，而 2027 年需求增速超過供給成長，供需缺口將進一步擴大。北美雲端服務供應商（CSP）持續提高資本支出，英特爾、AMD 新世代 CPU 平台加速出貨，以及代理 AI 逐步商業化，這些因素共同推動了 2027 年全球伺服器出貨量的大幅增長。
📅 2027 年 06 月：NAND Flash 供需結構反轉
2027 年下半年，NAND Flash 供需結構開始反轉。各大廠商加速轉進至高層數產品，新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度將超越 2026 年。然而，消費性電子終端需求依然疲弱，市場供需將迎來结构性反轉。TrendForce 預測，2027 年 sufficiency ratio 將轉為正值，供需格局將趨於寬鬆。
至今影響與未來展望
2027 年的記憶體市場呈現出 DRAM 供給緊張而 NAND Flash 供給寬鬆的態勢。DRAM 市場因 HBM 持續排擠產能，以及 AI 伺服器需求強勁，供給緊張格局將持續。NAND Flash 市場則因新產能釋放和消費端需求疲弱，供需將趨於寬鬆。
從產業面來看，DRAM 供給緊張將推動價格維持高位，有利於記憶體廠商的獲利；而 NAND Flash 供給寬鬆將迫使價格下行，可能影響消費電子製造商的成本控制。建議相關企業密切關注市場動態，靈活調整生產和採購策略。
面對 2027 年的市場變局，企業需做好充分準備。DRAM 市場的供給緊張將帶來價格上漲壓力，企業應考慮提前鎖定價格，以確保供應鏈穩定。NAND Flash 市場的供給寬鬆則提供了降低成本的機會，企業可以把握这一契机，优化成本结构。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
2027 年 DRAM 供給緊張的原因是什麼？
2027 年 DRAM 供給緊張的主要原因是 HBM 持續排擠產能，以及 AI 伺服器需求強勁。這导致新增產能無法等比例轉換為有效位元產出，進一步加剧了供給緊張的局面。
NAND Flash 供給寬鬆的原因是什麼？
NAND Flash 供給寬鬆的主要原因是新產能的逐步釋放和消費端需求疲弱。2027 年各大廠商加速轉進至高層數產品，新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度超越 2026 年。
2027 年 DRAM 和 NAND Flash 市場的價格走勢如何？
2027 年 DRAM 市場的價格將維持高位，而 NAND Flash 市場的價格可能面臨下行壓力。DRAM 供給緊張將推動價格上漲，而 NAND Flash 供給寬鬆將迫使價格下降。
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