根據摩根士丹利（大摩）最新研究報告指出，儘管市場對DDR4的強勁漲勢抱持樂觀，然其預期DDR4合約價年增率將於2026年下半年放緩。與此同時，大摩獨排眾議，點名傳統NAND市場因結構性供應短缺，將成為記憶體產業的新贏家，並將臺灣記憶體大廠旺宏（Macronix）列為首選投資標的，引發市場高度關注。
主流記憶體前景樂觀：AI驅動需求不墜
數據顯示，市場對主流記憶體（DRAM）的長期發展仍充滿建設性看法，大摩此次降評僅針對傳統記憶體市場，並不影響對主流記憶體的樂觀預期。隨著人工智慧（AI）運算瓶頸逐漸轉向多層記憶體系統，主流DRAM將持續受惠於這股強勁的趨勢。
大摩分析師指出，代理型 AI（Agentic AI）工作執行需要更密集的數據處理，這將使主流 DRAM 供應進一步收緊。只要 AI 支出維持高檔，記憶體仍是限制 AI 發展最大關鍵因素之一，主流記憶體強勢的格局將保持不變。
這項分析強調，AI技術的快速演進，正以前所未有的速度消耗記憶體資源，特別是高頻寬、低延遲的主流DRAM。因此，只要全球AI投資熱潮不減，主流記憶體市場的供需平衡將持續偏向供給緊張，價格支撐力道強勁。
DDR4降評解析：供需失衡與價格反噬
針對DDR4市場，大摩的降評考量了供需兩端的關鍵變化。從供給面來看，由於近期DDR4價格飆升，吸引了供應商擴充產能或延後產品停產時間。華邦電、南亞科、三星與長鑫存儲等主要廠商，均規劃在2026至2027年間大幅拉升DDR4產能。由於DDR4市場規模相對較小，主流DRAM的缺貨瓶頸在此並不適用，供給增加將對價格構成壓力。
需求方面，截至2026年2月，DDR4 8Gb合約價的年增率已高達752%，如此驚人的漲幅已開始反噬終端需求。大摩觀察到，過高的價格正抑制智慧型手機與PC等消費性電子產品的採購意願，甚至有較小型的客戶已開始抗拒漲價。此外，DDR4缺乏與AI應用的直接關聯性，使其無法受惠於AI帶動的記憶體消耗潮。
大摩預期，儘管 DDR4 合約價短期內仍會上漲，但年增率將在 2026 年下半年開始放緩，這將成為市場轉趨保守的關鍵訊號。
這意味著，DDR4的價格蜜月期可能即將結束，市場參與者需警惕其漲勢的持續性。
傳統NAND逆勢崛起：結構性短缺推升價格
與DDR4面臨的窘境截然不同，大摩對傳統NAND市場抱持極度樂觀的看法，認為其正經歷一波獨特的結構性供應短缺。全球主要NAND供應商近年來持續減產，導致市場供給大幅萎縮。
大摩預估 MLC NAND 在 2026 年下半年將面臨嚴重的缺貨，供不應求幅度可能高達約 40%。同時，受惠於工業與企業應用對價格的敏感度較低，其需求依然穩健。
這項預測指出，MLC NAND及傳統TLC的價格將從2026年第一季到第四季飆升超過200%。這波漲勢主要得益於工業控制、車載系統、企業級儲存等對穩定性與可靠性要求較高的應用領域，其需求對價格波動的承受度較高，確保了NAND市場的穩健成長動能。傳統NAND的供應緊縮與穩健需求，共同構築了其強勁的漲價基礎。
臺灣記憶體廠機遇：旺宏、南亞科、力積電各有看點
在個股評估上，大摩順勢將臺灣記憶體製造商旺宏列為首選標的。分析指出，旺宏可望精準掌握MLC NAND龐大的市場商機，在全球結構性短缺中受益最大。
至於其他臺灣記憶體廠，南亞科有望受惠於主要記憶體大廠陸續退出DDR4市場所帶來的供應端上升週期，其市場份額可能因此擴大。而力積電則有望受惠於與美光的合作，以及其在先進DRAM生產機會上的長期利多，為其未來發展注入動能。臺灣記憶體產業鏈在這一波市場結構調整中，各自找到其獨特的發展利基。
數據背後的啟示
綜合大摩的最新報告，記憶體市場正經歷一場顯著的板塊移動。主流DRAM將持續受AI浪潮推動，保持強勢地位；DDR4則因供給增加與需求受挫，漲勢面臨逆風。而傳統NAND市場，在供應商減產與特定應用需求支撐下，正迎來結構性短缺帶來的價格飆升。這場變革不僅考驗各家記憶體廠的應變能力，也為具備獨特技術與市場定位的廠商，如旺宏，創造了前所未有的成長契機。
