根據外資大摩（Morgan Stanley；摩根士丹利）的最新報告指出，儘管市場對記憶體週期、雲端服務供應商自由現金流以及中國市場記憶體拋售潮感到擔憂，但大摩對成熟記憶體族群的股價仍持樂觀態度。報告強調，DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未歇，反而展現出前所未有的定價能力。
第三季記憶體價格展望
研調機構 TrendForce 原先預估，第三季常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%，NAND 價格則預估季增 10-15%。然而，大摩指出，雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA）。受此帶動，大摩預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月 20% 以上的漲幅，這意味著第三季整季的價格季增率將「至少達到 30%」。
除了 DRAM，傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。大摩預期，第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。
中國記憶體大廠的預警
近期中國記憶體大廠兆易創新（GigaDevice）曾發布公告警告，利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此，大摩分析師解讀，這較可能屬於「長期趨勢」的預警，而非短期內會發生的現象。報告強調，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
投資價值分析
在投資價值方面，大摩認為相關公司的 2028 年預估每股淨值（BVPS）已提供良好的下檔支撐。以中國 IC 設計廠兆易創新為例，其股價自 6 月 29 日的高峰美股人民幣 840 元，大幅修正了 45.6%，已浮現估值支撐。此外，台灣記憶體製造廠（IDM）如旺宏、南亞科與華邦電，目前股價約落在 2028 年預估每股淨值的 1.5 倍、1.2 倍與 1.2 倍。
大摩指出，回顧歷史經驗，大中華區 IDM 廠的股價淨值比在 1.0 倍左右時，通常具有極強的下檔防禦力道。總結來說，成熟記憶體雖面臨市場短期雜音，但在合約需求與缺口支撐下，基本面與價格走勢依然強勁。
從產業面來看，雖然市場對記憶體週期的擔憂不斷，但结构性的供應缺口和雲端服務供應商的高需求，將成為記憶體價格上漲的主要驅動力。投資者應關注這些基本面因素，而非短期的市場波動。
展望與影響
展望未來，記憶體市場的结构性缺口將持續支撐價格上揚。雲端服務供應商的長期合約需求，以及 DRAM 和 NAND 價格的大幅增長，都將對相關企業的股價形成有力支撐。投資者應密切關注這些趨勢，並考慮在市場調整時期尋找投資機會。
如果你對記憶體市場的未來走向感到好奇，不妨進一步了解相關企業的財報和行業報告，以做出更明智的投資決策。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
第三季記憶體價格預估漲幅是多少？
根據大摩的報告，第三季 DDR4 價格預估每月漲幅超過 20%，季增率至少達到 30%。SLC/MLC NAND 價格預估季增 50-60%，NOR Flash 價格預估季增 30-40%。
為什麼記憶體價格在第三季依然強勁？
記憶體價格在第三季依然強勁的原因主要包括雲端服務供應商的高需求和结构性的供應缺口。這些因素支撐了記憶體價格的上漲。
兆易創新的預警對市場有何影響？
兆易創新的預警主要是一種長期趨勢的預警，而非短期內會發生的現象。目前市場上的结构性供應缺口仍然存在，支撐記憶體價格上揚。
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