在全球半導體技術封鎖的背景下，中國半導體企業是否能夠通過自製設備逆轉局勢？長鑫存儲（CXMT）的崛起或許能提供一些答案。
現象觀察：中國半導體自製化邁出關鍵一步
根據外媒 The Information 報導，一家未具名的中國國家支持企業已經成功製造出深紫外光微影設備（DUV）。這標誌著中國在半導體設備自製化方面邁出了重要的一步。尤其值得一提的是，長鑫存儲已於 8 月份正式進入中國半導體業者的優先採購名單，將獲得首批國產的 DUV 設備。
這家中國企業所製造的是 28 奈米 DUV，儘管有部分關鍵零組件仍需仰賴自日本進口，但絕大多數零件已成功實現國產化。在產能規劃方面，該企業計劃在 2026 年生產 5 台 DUV 設備，並於 2027 年將產能提升至 20 台。
原因剖析：政策支持與市場需求雙輪驅動
長鑫存儲與中芯國際（SMIC）、華虹半導體等中國晶圓代工大廠並列，成為首批獲得此批國產設備的企業。此舉凸顯了北京當局對這些半導體核心實體的高度重視，同時也有效反制了美國意圖阻止中國企業購買或維修西方 DUV 設備的 MATCH 法案。
事實上，長鑫存儲近期的 IPO 引發投資人的空前狂熱，交易首日收盤時，其股價漲幅竟高達近 500%。這筆龐大的新資金將被用於激進的產能擴張，目標在 2026 年底前，將現有每月約 20 萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月 30 萬片。
從產業面來看，中國政府的大力支持和國內市場的巨大需求，是推動長鑫存儲迅速崛起的關鍵因素。這也意味著中國半導體產業的未來前景值得期待。
影響評估：技術突破與市場競爭格局
長鑫存儲目前正同步在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來完工後，其總產能將倍增至每月 60 萬片晶圓的驚人規模。業界預期，若能維持此等擴張力道與速度，長鑫存儲有望在 2030 年於量產規模上正式超越全球記憶體巨擘美光（Micron）。
在製程技術上，長鑫存儲已在 G5 製程節點上成功量產 1a DRAM。然而，面對無法取得最先進極紫外光（EUV）設備的困境，長鑫存儲選擇改變技術路徑，放棄單純追求縮小水平節點的傳統做法，將研發重押於下一代的 3D DRAM 技術。
透過將記憶體單元進行垂直堆疊，公司能在不微縮水平節點的情況下，最大化原始位元密度與整體儲存容量。在具體技術實作上，長鑫存儲利用氟化氬（ArF）浸潤式 DUV 系統蝕刻多個水平特徵層，並透過混合鍵合技術將其垂直堆疊。
趨勢預測：未來競爭與市場反應
就在中國國產 DUV 量產的消息一出，全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）於 7 月 28 日在美股市場遭遇沉重賣壓，盤中股價跌幅一度深達 8.2%。然而，市場分析師指出，投資人對於此項競爭消息的恐慌似乎有過度放大之嫌。
數據顯示，DUV 占 ASML 總營收的比例已從 2024 年的 44% 下降至上一季的 29%；對中國市場的銷售佔比更從 2024 年的 41% 驟降至上一季的僅 14%，且此下滑趨勢預期將持續。此外，受惠於全球 AI 熱潮的帶動，中國以外地區對各類晶片與 DUV 設備的需求正大幅飆升。
ASML 目前每年即具備生產 130 台 DUV 設備的龐大產能，為因應強勁需求，管理層更計劃在 2027 年將產能提升 30%，並於 2028 年再進一步增加 30%。相較於中國新興企業 2026 年預計生產 5 台、2027 年目標 20 台的有限產出，這家新興的中國對手在未來的幾年內，在產能與技術上仍難以對 ASML 構成實質威脅。
總結來說，中國半導體企業的崛起雖對全球市場造成一定的影響，但在產能和技術上仍與國際領導者存在差距。
面對中國半導體產業的快速發展，您認為這將如何影響全球半導體市場格局？歡迎在留言區分享您的看法。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
長鑫存儲入列首批國產 DUV 供應名單的原因是什麼？
長鑫存儲入列首批國產 DUV 供應名單的主要原因是得到了中國政府的高度支持，以及其在半導體技術上的突破和市場需求的驅動。
長鑫存儲的產能擴張計劃是什麼？
長鑫存儲計劃在 2026 年底前將現有每月約 20 萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月 30 萬片，並在 2030 年前進一步擴大至每月 60 萬片。
中國國產 DUV 設備的產能規劃是什麼？
中國國產 DUV 設備的產能規劃是在 2026 年生產 5 台，並於 2027 年將產能提升至 20 台。
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